參數資料
型號： IXTH30N45
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247AD
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 450V五（巴西）直| 30A條（?。﹟采用TO - 247AD
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文件大小： 192K
代理商： IXTH30N45
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IXTM20N55 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-3
IXTM21N45 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-3
IXTM21N55 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-3
IXTM24N45 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-3
IXTM26N45 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-3
相關代理商/技術參數
參數描述
IXTH30N50 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V 0.17 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH30N50L 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH30N50L2 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 500V 0.002 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH30N50P 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH30N60L2 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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