參數(shù)資料
型號(hào)： IXTH21N50
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： MegaMOSFET
中文描述： 21 A, 500 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 107K
代理商： IXTH21N50
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
B
G
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
V
GS(th)
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
0
10
20
30
21N50
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
R
D
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
I
D
- Amperes
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
R
D
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
V
GS
= 10V
V
GS
- Volts
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
D
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
I
D
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
5V
7V
V
GS
= 10V
BV
CES
24N50
V
GS
= 15V
6V
I
D
= 12A
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
IXTH 21N50
IXTM 21N50
IXTH 24N50
IXTM 24N50
Fig. 1 Output Characteristics
Fig. 2 Input Admittance
Fig. 3 R
DS(on)
vs. Drain Current
Fig. 4 Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
Fig. 5 Drain Current vs.
Case Temperature
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTM21N50 MegaMOSFET
IXTM24N50 MegaMOSFET
IXTH24P20 Standard Power MOSFET
IXTH24N50 MegaMOSFET
IXTH30N45 N-Channel Enhancement Mode MegaMOSFET(最大漏源擊穿電壓450V,導(dǎo)通電阻0.16Ω的N溝道增強(qiáng)型MegaMOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTH21N55 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-218VAR
IXTH21N60 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-218VAR
IXTH220N055T 功能描述:MOSFET 220 Amps 55V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH220N075T 功能描述:MOSFET 220 Amps 75V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH22N50P 功能描述:MOSFET 22 Amps 500V 0.27 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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