| 型號(hào): | IXTH1N100 |
| 廠商: | IXYS CORP |
| 元件分類(lèi): | 功率晶體管 |
| 英文描述: | High Voltage MOSFET |
| 中文描述: | 1.5 A, 1000 V, 11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| 文件頁(yè)數(shù): | 2/2頁(yè) |
| 文件大小: | 83K |
| 代理商: | IXTH1N100 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTT1N100 | High Voltage MOSFET |
| IXTH20N60 | MegaMOS FET |
| IXTM20N60 | MegaMOS FET |
| IXTH21N50 | MegaMOSFET |
| IXTM21N50 | MegaMOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXTH1N250 | 功能描述:MOSFET 1 Amps 2500V 40 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH200N075T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 75V 4.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH200N085T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH200N10T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH20N50D | 功能描述:MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |