| 型號: | IXTH12N50A | 
| 廠商: | IXYS CORP | 
| 元件分類: | JFETs | 
| 英文描述: | Standard Power MOSFET | 
| 中文描述: | 12 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD | 
| 文件頁數(shù): | 4/4頁 | 
| 文件大?。?/td> | 97K | 
| 代理商: | IXTH12N50A | 

| 相關(guān)PDF資料 | PDF描述 | 
|---|---|
| IXTM12N50A | Standard Power MOSFET | 
| IXTH12N90 | N-Channel Enhancement Mode MegaMOSFET(最大漏源擊穿電壓900V,導(dǎo)通電阻0.90Ω的N溝道增強(qiáng)型MegaMOSFET) | 
| IXTH14N100 | MegaMOSTMFET | 
| IXTH14N80 | MegaMOSFET | 
| IXTH16P20 | Standard Power MOSFET | 
| 相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) | 參數(shù)描述 | 
|---|---|
| IXTH12N50MA | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247(5) | 
| IXTH12N50MB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247(5) | 
| IXTH12N80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-218VAR | 
| IXTH12N90 | 功能描述:MOSFET 12 Amps 900V 0.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| IXTH12N95 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-218VAR |