參數(shù)資料
型號： IXTC75N10
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode
中文描述： 72 A, 100 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISOPLUS220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 81K
代理商： IXTC75N10
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
Note: All terminals are solder plated.
1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
ISOPLUS220 OUTLINE
IXTC 75N10
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= I
T
, pulse test
25
30
S
C
iss
C
oss
C
rss
4500
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
1300
pF
550
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
40
60
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
R
G
= 2
,
(External)
60
110
ns
100
140
ns
30
60
ns
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
180
260
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
30
70
nC
90
160
nC
R
thJC
R
thCK
0.54
K/W
0.30
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
75
A
I
SM
Repetitive; pulse width limited by T
JM
300
A
V
SD
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
1.75
V
t
rr
I
F
= I
S
, -di/dt = 100 A/
μ
s, V
R
= 100 V
300
ns
Note: 1. I
T
= 37.5A
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