參數(shù)資料
型號: IXTA2N80
廠商: IXYS
文件頁數(shù): 1/2頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 800V 2A TO-263
標準包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 6.2 歐姆 @ 500mA,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 5.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 440pF @ 25V
功率 - 最大: 54W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝: TO-263AA
包裝: 散裝