參數(shù)資料
型號(hào)： IXST30N60B
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Speed IGBT
中文描述： 55 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268AA
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 131K
代理商： IXST30N60B
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
C
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
10
S
C
ies
C
oes
C
res
3100
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
240
pF
30
pF
Q
g
Q
ge
Q
gc
100
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
30
nC
38
nC
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
30
ns
30
ns
30N60B
30N60C
150
90
270
150
ns
ns
t
fi
30N60B
30N60C
140
70
270
120
ns
ns
E
off
30N60B
30N60C
1.5
0.7
2.5
1.2
mJ
mJ
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
35
ns
35
ns
0.5
mJ
30N60B
30N60C
270
150
ns
ns
t
fi
30N60B
30N60C
250
140
ns
E
off
30N60B
30N60C
2.5
1.2
mJ
mJ
R
thJC
R
thCK
0.62 K/W
(TO-247)
0.25
K/W
Inductive load, T
J
= 125
°
C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 4.7
Note 1
TO-247 AD Outline
Inductive load, T
J
= 25
°
C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 4.7
Note 1
IXSH/IXST 30N60B
IXSH/IXST 30N60C
Notes: 1. Switching times may increase for V
CE
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
.
1 = Gate
2 = Collector
3 = Emitter
Tab = Collector
TO-268 Outline
Min Recommended Footprint
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXST30N60C High Speed IGBT
IXSH30N60CD1 Short Circuit SOA Capability
IXSK30N60CD1 Short Circuit SOA Capability
IXST30N60CD1 Short Circuit SOA Capability
IXSK30N60BD1 High Speed IGBT with Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXST30N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXST30N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 55 Amps 600V 2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXST30N60C 功能描述:IGBT 晶體管 55 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXST30N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 55 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXST35N120B 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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