| 型號: | IXSM30N60A |
| 廠商: | IXYS CORP |
| 元件分類: | 功率晶體管 |
| 英文描述: | Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT |
| 中文描述: | 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-204AE |
| 文件頁數(shù): | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 241K |
| 代理商: | IXSM30N60A |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXSH35N100A | High speed IGBT |
| IXSM35N100A | High speed IGBT |
| IXSH35N120A | High Voltage, High speed IGBT |
| IXSH35N120B | IGBT |
| IXST35N120B | IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXSM35N100 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 35A I(C) | TO-204AE |
| IXSM35N100A | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High speed IGBT |
| IXSM40N60 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT |
| IXSM40N60A | 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXSM45N100 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability |