參數(shù)資料
型號： IXSK40N60BD1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.2V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 46K
代理商： IXSK40N60BD1
2 - 2
2000 IXYS All rights reserved
IXSK 40N60BD1
IXSX 40N60BD1
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t 300 s, duty cycle 2 %
= I
; V
= 10 V,
16
23
S
C
iss
C
oss
C
rss
3700
440
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
60
Q
g
Q
ge
Q
gc
190
45
88
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
50
50
ns
ns
ns
ns
mJ
110
120
1.8
200
200
2.6
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
50
50
2.2
190
180
ns
ns
mJ
ns
ns
E
off
2.6
mJ
R
thJC
R
thCK
0.48 K/W
0.15
K/W
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
F
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
1.8
V
I
RM
t
rr
I
F
= I
, V
GE
= 0 V, -di
F
/dt = 100 A/ s
V
= 100 V
I
F
= 1 A; -di/dt = 200 A/ s; V
R
= 30 V
2
2.5
A
35
ns
R
thJC
0.75 K/W
Inductive load, T
J
= 25 C
I
C
= I
, V
GE
= 15 V, L = 100 H,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
Remarks: Switching times may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
Inductive load, T
J
= 125 C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, L = 100 H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
Remarks: Switching times may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
Millimeter
Min.
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46 BSC
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
Inches
Max.
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
Min.
.190
.100
.079
.044
.094
.114
.021
1.020
.780
Max.
.202
.114
.083
.056
.106
.122
.033
1.030
.786
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
.215 BSC
.000
.000
.800
.090
.125
.239
.330
.150
.070
.238
.062
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
.010
.010
.820
.102
.144
.247
.342
.170
.090
.248
.072
Dim.
TO-264 AA Outline
PLUS247
TM
(IXSX)
Dim.
Millimeter
Min.
4.83
2.29
1.91
1.14
1.91
2.92
0.61
20.80
15.75
e 5.45 BSC
L
19.81
L1
3.81
Q
5.59
R
4.32
Inches
Min. Max.
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
Max.
5.21
2.54
2.16
1.40
2.13
3.12
0.80
21.34
16.13
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
20.32
4.32
6.20
4.83
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSK50N60AU1 IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.7V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
IXSK50N60BD1 IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
IXSK50N60BU1 IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
IXSK80N60B High Current IGBT Short Circuit SOA Capability
IXSX80N60B High Current IGBT Short Circuit SOA Capability
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSK40N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSK50N60AU1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSK50N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSK50N60BU1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSK80N60B 功能描述:IGBT 晶體管 80 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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