參數(shù)資料
型號(hào)： IXSH35N120A
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage, High speed IGBT
中文描述： 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 64K
代理商： IXSH35N120A
2 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
= I
; V
= 10 V,
20
26
S
I
C(on)
V
GE
= 15 V, V
CE
= 10 V
170
A
C
ies
C
oes
C
res
3750
235
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
60
Q
g
Q
ge
Q
gc
150
40
70
190
60
100
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
80
ns
ns
ns
ns
mJ
150
400
500
10
900
700
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
80
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
150
2.5
400
700
15
R
thJC
R
thCK
0.42 K/W
0.25
K/W
Inductive load, T
J
= 25 C
I
C
= I
, V
GE
= 15 V, L = 100 H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
Remarks: Switching times may
increase for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
Inductive load, T
J
= 125 C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, L = 100 H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
Remarks: Switching times may
increase for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
IXSH 35N120A
TO-247 AD (IXSH) Outline
Dim. Millimeter
Min.
Inches
Min.
Max.
Max.
A
B
19.81 20.32
20.80 21.46
0.780 0.800
0.819 0.845
C
D
15.75 16.26
3.55
0.610 0.640
0.140 0.144
3.65
E
F
4.32
5.4
5.49
6.2
0.170 0.216
0.212 0.244
G
H
1.65
2.13
4.5
0.065 0.084
-
-
0.177
J
K
1.0
10.8
1.4
11.0
0.040 0.055
0.426 0.433
L
M
4.7
0.4
5.3
0.8
0.185 0.209
0.016 0.031
N
1.5
2.49
0.087 0.102
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSH35N120B IGBT
IXST35N120B IGBT
IXSH35N135A High Voltage,High Speed IGBT(VCES為1350V的高電壓高速絕緣柵雙極晶體管)
IXSH35N140A High Voltage,High Speed IGBT(VCES為1400V的高電壓高速絕緣柵雙極晶體管)
IXSH40N60 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-5015; Body Material:Metal; Series:GT; No. of Contacts:6; Connector Shell Size:28; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Right Angle Plug; Body Style:Right Angle
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSH35N120B 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH35N135A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.35KV V(BR)CES | 70A I(C) | TO-247AD
IXSH35N140A 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1400V 4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH40N60 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Transistor IGBT N-Ch 600V 75A TO247AD
IXSH40N60A 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH SPEED IGBT 600V, 40A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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