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參數(shù)資料
| 型號： | IXSH30N60BD1 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | High Speed IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.0V的高速絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）) |
| 中文描述： | 55 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| 封裝： | TO-247, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 119K |
| 代理商： | IXSH30N60BD1 |
5 - 5
2000 IXYS All rights reserved
IXSH 30N60BD1 IXSK 30N60BD1 IXST 30N60BD1
200
600
-di
F
/dt
1000
0
400
800
A/
m
s
60
70
80
90
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
0
40
80
120
160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
K
f
T
VJ
°
C
t
s
K/W
0
200
400
600
di
F
/dt
800
A/
m
s
1000
0
5
10
15
20
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
V
FR
V
200
600
1000
0
400
800
A/
m
s
0
5
10
15
20
25
30
A
100
1000
0
200
400
600
800
1000
0
1
2
3
0
10
20
30
40
50
60
A
I
RM
Q
r
I
F
V
F
-di
F
/dt
-di
F
/dt
V
nC
t
rr
ns
t
fr
Z
thJC
A/
m
s
μ
s
DSEP 29-06
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
T
VJ
= 100
°
C
V
R
= 300V
T
VJ
= 100
°
C
I
F
= 30A
Fig. 14 Peak reverse current I
RM
versus -di
F
/dt
Fig. 13 Reverse recovery charge Q
r
versus -di
F
/dt
Fig. 12 Forward current I
F
versus V
F
T
VJ
= 100
°
C
V
R
= 300V
T
VJ
= 100
°
C
V
R
= 300V
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
Q
r
I
RM
Fig. 15 Dynamic parameters Q
r
, I
RM
versus T
VJ
Fig. 16 Recovery time t
rr
versus -di
F
/dt
Fig. 17 Peak forward voltage V
FR
and t
fr
versus di
F
/dt
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
t
fr
V
FR
Fig. 18 Transient thermal resistance junction to case
Constants for Z
thJC
calculation:
i
R
thi
(K/W)
0.502
0.193
0.205
t
i
(s)
0.0052
0.0003
0.0162
1
2
3
T
VJ
=25
°
C
T
VJ
=100
°
C
T
VJ
=150
°
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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