參數(shù)資料
型號： IXKN75N60C
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： CoolMOS Power MOSFET
中文描述： 75 A, 600 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC-3
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大小： 70K
代理商： IXKN75N60C
2001 IXYS All rights reserved
3 - 3
IXKN 75N60C
Fig. 5: typ. Gate Charge Characteristic Curve
Fig. 1: typ. Output Characteristics
Fig. 2: typ. R
DSon
vs. Drain Current
Fig. 3: typ. R
DSon
vs. Junction Temperature
Fig. 4: typ. Input Admittance
0
2
4
6
8
10
12
0
50
100
150
200
250
A
0
4
8
12
16
20
0
50
100
150
200
250
A
0.000010.0001 0.001
0.01
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
-40
0
40
80
T
VJ
120
160
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0
100
200
300
400
500
600
700
0
2
4
6
8
10
12
14
V
16
T
VJ
= 125°C
8 V
V
DS
I
D
R
DSon
I
D
V
GS
Q
G
t
s
R
DSon
I
D
V
GS
K/W
Z
thJC
0
50
100
150
200
250
0.00
0.04
0.08
0.12
0.16
V
10 V
V
GS
= 18 - 12 V
10 V
12-18 V
V
T
VJ
= 25°C
°C
IXKN75N60C
V
GS
= 8 V
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 25°C
I
D
= 50 A
single pulse
A
Fig. 6: typ. Transient Thermal Impedance
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參數(shù)描述
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IXKP10N60C5M 功能描述:MOSFET 10 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXKP13N60C5 功能描述:MOSFET 13 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXKP13N60C5M 功能描述:MOSFET 13 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXKP20N60C5 功能描述:MOSFET 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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