| 型號: | IXGT35N120C |
| 廠商: | IXYS CORP |
| 元件分類: | 功率晶體管 |
| 英文描述: | IGBT Lightspeed Series |
| 中文描述: | 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268AA |
| 封裝: | D3PAK-3 |
| 文件頁數: | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商: | IXGT35N120C |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGH38N60U1 | Ultra-Low VCE(sat) IGBT with Diode |
| IXGH38N60 | Ultra-Low VCE(sat) IGBT(1.8V超低VCE(sat)的絕緣柵雙極晶體管) |
| IXGH39N60B | HiPerFAST IGBT |
| IXGH39N60BD1 | HiPerFAST IGBT |
| IXGH40N30 | HiPerFAST IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXGT39N60B | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT |
| IXGT39N60BD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 39 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGT40N120A2 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage IGBT Low V |
| IXGT40N120B2D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 1200V 3.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGT40N60B | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT |