參數(shù)資料
型號: IXGT30N60BD1
廠商: IXYS CORP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: HiPerFASTTM IGBT with Diode
中文描述: 60 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268AA
封裝: D3PAK-3
文件頁數(shù): 5/5頁
文件大?。?/td> 141K
代理商: IXGT30N60BD1
2002 IXYS All rights reserved
Fig. 12. Forward current
versus voltage drop.
Fig. 13. Recovery charge versus -di
F
/dt.
Fig. 14. Peak reverse current versus
-di
F
/dt.
Fig. 15. Dynamic parameters versus
junction temperature.
Fig. 16. Reverse recovery time vs -di
F
/dt.
Fig. 17. Forward voltage recovery
and time versus -di
F
/dt.
Fig. 18. Transient thermal resistance junction to case.
IXGH 30N60BU1
IXGT 30N60BU1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH30N60B HiPerFASTTM IGBT
IXGH31N60D1 Ultra-Low VCE(sat) IGBT with Diode(VCES為600V,VCE(sat)為1.7V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管))
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IXGT30N60C2D1 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT30N60C3D1 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:GenX3 600V IGBT with Diode
IXGT31N60 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Ultra-Low VCE(sat) IGBT