| 型號: | IXGK50N60AU1 |
| 廠商: | IXYS CORP |
| 元件分類: | 功率晶體管 |
| 英文描述: | HiPerFAST IGBT with Diode |
| 中文描述: | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| 封裝: | TO-264AA, 3 PIN |
| 文件頁數: | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 162K |
| 代理商: | IXGK50N60AU1 |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGK50N60C2D1 | HiPerFAST IGBT with Diode |
| IXGX50N60C2D1 | HiPerFAST IGBT with Diode |
| IXGK60N60B2D1 | HiPerFAST IGBT with Diode |
| IXGX60N60B2D1 | HiPerFAST IGBT with Diode |
| IXGK60N60C2D1 | HiPerFASTTM IGBT with Diode |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXGK50N60B | 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGK50N60B2D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 600V 2.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGK50N60BD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGK50N60BU1 | 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGK50N60C2D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 600V 2.5V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |