參數(shù)資料
型號： IXGH24N60CD1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Lightspeed Series HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
中文描述： 48 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 103K
代理商： IXGH24N60CD1
4 - 5
2000 IXYS All rights reserved
IXGH 24N60CD1
IXGT 24N60CD1
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Z
t
0.001
0.01
0.1
1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
V
CE
- Volts
0
100
200
300
400
500
600
I
C
0.1
1
10
100
Q
g
- nanocoulombs
0
20
40
60
80
V
G
0
4
8
12
16
R
G
- Ohms
0
10
20
30
40
50
60
E
(
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
E
(
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
I
C
- Amperes
0
10
20
30
40
50
E
(
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
E
(
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
V
CE
= 300V
I
C
= 24A
I
C
= 12A
E
(ON)
E
(OFF)
T
J
= -55 to +125
°
C
R
G
= 4.7
W
dV/dt < 5V/ns
D=0.5
D=0.02
D=0.01
Single pulse
D = Duty Cycle
R
G
= 10
W
T
J
= 125
°
C
40
E
(ON)
I
C
=48A
E
(OFF)
T
J
= 125
°
C
E
(ON)
I
C
= 24A
E
(ON)
E
(OFF)
E
(OFF)
Fig. 11 IGBT Transient Thermal Resistance
Fig.10. Turn-off Safe Operating Area
Fig.9. Gate Charge
Fig.7. Dependence of E
OFF
and E
OFF
on I
C
Fig.8. Dependence of E
OFF
on R
G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGT24N60CD1 HiPerFAST IGBT with Diode Lightspeed Series
IXGH24N60C Lightspeed Series HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGH25N100AU1 High speed IGBT with Diode
IXGH25N100U1 High speed IGBT with Diode
IXGH25N120 Low VCE(sat) High speed IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IXGH25N100A 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH SPEED IGBT 1000V 50A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH25N100AU1 功能描述:IGBT 50A 1000V TO-247AD RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXGH25N100U1 功能描述:IGBT 50A 1000V TO-247AD RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXGH25N120 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 1200V 3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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