參數(shù)資料
型號(hào)： IXGH14N170A
廠商： IXYS Corporation
英文描述： High Voltage IGBT
中文描述： 高壓IGBT
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大小： 96K
代理商： IXGH14N170A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
Dim.
Millimeter
Min.
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
Inches
Min.
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205 0.225
.780
Max.
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
Max.
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
.800
.177
.144
3.55
5.89
4.32
6.15 BSC
.140
0.232 0.252
.170
242 BSC
.216
e
P
TO-247 AD Outline
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Note 2
= I
C25
; V
CE
= 10 V
6
10
S
C
ies
C
oes
C
res
1700
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
83
pF
30
pF
Q
g
Q
ge
Q
gc
65
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
13
nC
24
nC
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
36
ns
57
ns
200
350
ns
40
150
ns
0.9
1.5
mJ
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
38
ns
59
ns
1.5
200
mJ
ns
55
ns
1.1
mJ
R
thJC
R
thCK
0.65 K/W
(TO-247)
0.25
K/W
Inductive load, T
J
= 125
°
C
I
C
= I
C25
, V
GE
= 15 V
R
= 10
,
V
CE
= 0.
8
V
CES
Note 3
Inductive load, T
J
= 25
°
C
I
C
= I
C25
, V
GE
= 15 V
R
= 10
,
V
CE
= 0.
8
V
CES
Note 3
IXGH 16N170A
IXGT 16N170A
TO-268 Outline
Dim.
Millimeter
Min.
4.9
2.7
.02
1.15
1.9
.4
13.80
15.85
13.3
e 5.45 BSC .215 BSC
H
18.70
19.10
L
2.40
2.70
L1
1.20
1.40
Inches
Min.
.193
.106
.001
.045
.75
.016
.543
.624
.524
Max.
5.1
2.9
.25
1.45
2.1
.65
14.00
16.05
13.6
Max.
.201
.114
.010
.057
.83
.026
.551
.632
.535
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
.736
.094
.047
.752
.106
.055
L2
L3 0.25 BSC .010 BSC
L4
3.80
4.10
1.00
1.15
.039
.045
.150
.161
Notes:1.
Device must be heatsunk for high temperature leakage current
measurements to avoid thermal runaway.
2.
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
3.
Switching times may increase for V
CE
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGT28N30 HiPerFAST IGBT
IXGX40N60BD1 HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
IXHQ100 Negative Voltage Hot Swap Controller with Active Power Filter
IXHQ100PI Negative Voltage Hot Swap Controller with Active Power Filter
IXHQ100SI Negative Voltage Hot Swap Controller with Active Power Filter
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH15N120B 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH15N120B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH15N120BD1 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH15N120C 功能描述:IGBT 30A 1200V TO-247AD RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXGH15N120CD1 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.8 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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