參數(shù)資料
型號(hào)： IXFX44N60
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 44 A, 600 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLUS247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大小： 104K
代理商： IXFX44N60
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
V
SD
- Volts
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
D
0
20
40
60
80
100
Pulse Width - Seconds
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
R
J
0.00
0.01
0.10
1.00
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
100
1000
10000
Gate Charge - nC
0
50
100 150 200 250 300 350 400
V
G
0
2
4
6
8
10
12
Crss
Coss
Ciss
V
DS
= 300V
I
D
= 30A
I
G
= 10mA
f = 1MHz
T
J
= 125
O
C
T
J
= 25
O
C
IXFK 44N60
IXFX 44N60
Figure 7. Gate Charge
Figure 8. Capacitance Curves
Figure 9. Forward Voltage Drop of the Intrinsic Diode
Figure 10. Transient Thermal Resistance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFK44N50 HiPerFET Power MOSFETs
IXFK48N50Q CAP 10000UF 50V ELECT SCREW TERM
IXFX44N50Q HiPer FET Power MOSFETs Q-CLASS
IXFK48N50 CAP 1000UF 450V ELECT SCREW TERM
IXFH48N50 CAP 56PF 100V CERAMIC MONO 5%
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFX44N80P 功能描述:MOSFET 44 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX44N80Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX48N50Q 功能描述:MOSFET 48 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFX48N55 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs
IXFX48N60P 功能描述:MOSFET 600V 48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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