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    參數(shù)資料
    

    


    


    
型號：
IXFT20N80Q

    

    
廠商：
IXYS

    

    
文件頁數(shù)：
1/2頁

    

    
文件大?。?/td>
0K

    

    
描述：
MOSFET N-CH 800V 20A TO-268

    

    
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
30

    

    
系列：
HiPerFET™

    

    
FET 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物
    		

    

    
FET 特點(diǎn)：
標(biāo)準(zhǔn)
    		

    

    
漏極至源極電壓(Vdss)：
800V
    		

    

    
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：
20A
    		

    

    
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：
420 毫歐 @ 10A，10V
    		

    

    
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：
4.5V @ 4mA
    		

    

    
閘電荷(Qg) @ Vgs：
200nC @ 10V
    		

    

    
輸入電容 (Ciss) @ Vds：
5100pF @ 25V
    		

    

    
功率 - 最大：
360W
    		

    

    
安裝類型：
表面貼裝
    		

    

    
封裝/外殼：
TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
    		

    

    
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-268
    		

    

    
包裝：
管件