| 型號: | IXFP3N120 |
| 廠商: | IXYS CORP |
| 元件分類: | JFETs |
| 英文描述: | HiPerFET Power MOSFETs |
| 中文描述: | 3 A, 1200 V, 4.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝: | PLASTIC, TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數(shù): | 3/4頁 |
| 文件大小: | 573K |
| 代理商: | IXFP3N120 |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR10N100F | HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 |
| IXFR12N100F | HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 |
| IXFR34N80 | N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓800V,導通電阻0.24Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET) |
| IXFX30N100Q2 | HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
| IXGA16N60C2 | HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXFP3N50PM | 功能描述:MOSFET 2.7 Amps 500V 2.0 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFP3N80 | 功能描述:MOSFET 3.6 Amps 800V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFP4N100P | 功能描述:MOSFET 4 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFP4N100PM | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Polar HiperFET Power MOSFET |
| IXFP4N100Q | 功能描述:MOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |