參數(shù)資料
型號(hào)： IXFN64N50P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PolarHVTM HiPerFETPower MOSFET
中文描述： 61 A, 500 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 58K
代理商： IXFN64N50P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by
4,835,592
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
IXFN64N50P
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Min.
Typ.
Max.
g
fs
V
DS
= 20 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
40
60
S
C
iss
C
oss
C
rss
7000
800
100
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
30
25
85
22
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
(External)
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
200
45
120
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
thJC
R
thCK
0.18 K/W
SOT-227B
0.05
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
64
A
I
SM
Repetitive
150
A
V
SD
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
1.5
V
t
rr
Q
RM
I
F
= 25A, -di/dt = 100 A/
μ
s
V
R
= 100V
250
ns
0.6
μ
C
SOT-227B Outline
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PDF描述
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