參數(shù)資料
型號： IXFN55N50F
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： HiPerRF Power MOSFETs
中文描述： 55 A, 500 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 121K
代理商： IXFN55N50F
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
Symbol
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Test Conditions
Characteristic Values
Min.
Typ.
Max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
Note 1
45
S
C
iss
C
oss
C
rss
9400
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
1280
pF
460
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
45
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
(External),
60
ns
120
ns
45
ns
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
330
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
55
nC
155
nC
R
thJC
R
thCK
TO-264 AA
0.22
K/W
TO-264 AA
0.15
K/W
R
thJC
R
thCK
miniBLOC, SOT-227 B
0.21
K/W
miniBLOC, SOT-227 B
0.05
K/W
Source-Drain Diode
(T
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
Min.
Typ.
Max.
I
S
V
GS
= 0
55N50
50N50
55
50
A
A
I
SM
Repetitive;
pulse width limited by T
JM
55N50
50N50
220
200
A
A
V
SD
I
F
= 100 A, V
GS
= 0 V
Note 1
1.5
V
t
rr
250
ns
Q
RM
I
F
= 25 A, -di/dt = 100 A/
μ
s, V
R
= 100 V
1.0
μ
C
I
RM
10
A
M4 screws (4x) supplied
Dim.
Millimeter
Min.
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
Inches
Max.
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
Min.
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
Max.
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
miniBLOC, SOT-227 B
Millimeter
Min.
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46 BSC
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
Inches
Max.
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
Min.
.190
.100
.079
.044
.094
.114
.021
1.020
.780
Max.
.202
.114
.083
.056
.106
.122
.033
1.030
.786
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
.215 BSC
.000
.000
.800
.090
.125
.239
.330
.150
.070
.238
.062
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
.010
.010
.820
.102
.144
.247
.342
.170
.090
.248
.072
Dim.
TO-264 AA Outline
Notes: 1.
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
IXFK50N50
IXFN50N50
IXFK55N50
IXFN55N50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFN50N25 HIPERFET Power MOSFTETs
IXFK50N50 CAP 0.18UF 50V 10% X7R DIP-2 TUBE-PAK S-MIL-PRF-39014/22
IXFK60N55Q2 HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFX60N55Q2 HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFK72N20 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓200V,導(dǎo)通電阻35mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFN56N90P 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN56N90P_11 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFN58N50 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High Current Power MOSFET
IXFN60N60 功能描述:MOSFET 600V 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN60N80P 功能描述:MOSFET DIODE Id54 BVdass800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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