參數(shù)資料
型號(hào)： IXFN340N06
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
中文描述： 340 A, 60 V, 0.003 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 104K
代理商： IXFN340N06
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
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5,187,117
5,237,481
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5,381,025
IXFN 340N07
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Dim.
Millimeter
Min.
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4.09
4.09
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-0.05
Inches
Max.
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
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0.84
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0.1
Min.
1.240
0.307
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0.161
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A
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U
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFN34N100 HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN34N80 HiPerFETTM Power MOSFETs Single DieMOSFET
IXFN36N100 HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN36N60 HiPerFET Power MOSFET
IXFN38N100Q2 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFN340N07 功能描述:MOSFET HiperFET Pwr MOSFET 70V, 340A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN340N07_04 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET⑩ Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN34N100 功能描述:MOSFET 34 Amps 1000V 0.28 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN34N80 功能描述:MOSFET 34 Amps 800V 0.24 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN35N50 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
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