參數(shù)資料
型號： IXFN27N80Q
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
中文描述： 27 A, 800 V, 0.32 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 108K
代理商： IXFN27N80Q
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
miniBLOC, SOT-227 B
M4 screws (4x) supplied
Dim.
Millimeter
Min.
Inches
Max.
Min.
Max.
A
B
31.50
7.80
31.88
8.20
1.240
0.307
1.255
0.323
C
D
4.09
4.09
4.29
4.29
0.161
0.161
0.169
0.169
E
F
4.09
14.91
4.29
15.11
0.161
0.587
0.169
0.595
G
H
30.12
38.00
30.30
38.23
1.186
1.496
1.193
1.505
J
K
11.68
8.92
12.22
9.60
0.460
0.351
0.481
0.378
L
M
0.76
12.60
0.84
12.85
0.030
0.496
0.033
0.506
N
O
25.15
1.98
25.42
2.13
0.990
0.078
1.001
0.084
P
Q
4.95
26.54
5.97
26.90
0.195
1.045
0.235
1.059
R
S
3.94
4.72
4.42
4.85
0.155
0.186
0.174
0.191
T
U
24.59
-0.05
25.07
0.1
0.968
-0.002
0.987
0.004
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
20
27
S
C
iss
C
oss
C
rss
7600
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
750
pF
120
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
20
ns
V
GS
R
G
= 1
(External),
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
28
ns
50
ns
13
ns
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
170
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
47
nC
65
nC
R
thJC
R
thCK
0.24
K/W
0.05
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
I
SM
V
GS
= 0 V
27
A
Repetitive;
pulse width limited by T
JM
108
A
V
SD
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
Note 1
1.5
V
t
rr
Q
RM
I
RM
I
F
= I
S
, -di/dt = 100 A/
μ
s, V
R
= 100 V
250
ns
μ
C
1.3
8
A
Note 1:
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
IXFN 27N80Q
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFN280N07 Standoff; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
IXFN32N60 HiPerFET Power MOSFET
IXFN340N07 HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN340N06 HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN34N100 HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFN280N07 功能描述:MOSFET 280 Amps 70V 0.006 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN280N07_08 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN280N085 功能描述:MOSFET 280 Amps 85V 0.0044 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN300N10P 功能描述:MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN30N110P 功能描述:MOSFET 30 Amps 1100V 0.3600 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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