參數(shù)資料
型號： IXFN26N90
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
中文描述： 26 A, 900 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 141K
代理商： IXFN26N90
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXFN 25N90
IXFN 26N90
V
DS
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
D
0
5
10
15
20
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
I
D
0
5
10
15
20
25
30
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
R
D
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
V
GS
- Volts
2
3
4
5
6
7
I
D
0
5
10
15
20
25
30
I
D
- Amperes
0
10
20
30
40
50
R
D
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
V
CE
- Volts
0
4
8
12
16
20
I
D
0
10
20
30
40
50
6V
5V
VGS = 10V
VGS = 9V
8V
TJ = 25°C
VGS = 9V
8V
7V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
4V
4V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
5V
6V
4V
5V
6V
VGS = 9V
8V
7V
T
J
= 125
O
C
VGS = 10V
7V
ID = 26A
ID = 13A
T
J
= 25
O
C
Figure 1. Output Characteristics at 25
O
C
Figure 2. Extended Output Characteristics at 125
O
C
Figure 3. R
DS(on)
normalized to 0.5 I
D25
value vs. I
D
Figure 6. R
DS(on)
normalized to 0.5 I
D25
value vs. T
J
Figure 5. R
DS(on)
normalized to 0.5 I
D25
value vs. I
D
Figure 4. Admittance Curves
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFN27N80Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFN280N07 Standoff; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
IXFN32N60 HiPerFET Power MOSFET
IXFN340N07 HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN340N06 HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFN-26N90 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFETTM Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN27N80 功能描述:MOSFET 800V 27A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN27N80Q 功能描述:MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN280N07 功能描述:MOSFET 280 Amps 70V 0.006 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN280N07_08 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*