參數(shù)資料
型號： IXFN230N10
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Power MOSFETs Single Die MOSFET
中文描述： 230 A, 100 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 281K
代理商： IXFN230N10
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXFN 230N10
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 15 V; I
D
= 60A, pulse test
80
120
S
C
iss
C
oss
C
rss
21000
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
5700
pF
1500
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
60
ns
V
GS
R
G
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
= 1
(External),
90
ns
150
ns
55
ns
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
690
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
150
nC
370
nC
R
thJC
R
thCK
0.18
K/W
0.05
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
230
A
I
SM
Repetitive;
pulse width limited by T
JM
920
A
V
SD
I
F
= 100A, V
GS
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
1.2
V
t
rr
Q
RM
I
RM
I
F
= 50A, -di/dt = 100 A/
μ
s, V
R
= 100 V T
J
=25
°
C
250
ns
μ
C
T
J
=25
°
C
1.2
9
A
miniBLOC, SOT-227 B
M4 screws (4x) supplied
Dim.
Millimeter
Min.
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
Inches
Max.
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
Min.
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
Max.
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFN24N100 HiPerRF Power MOSFETs
IXFN24N100F HiPerRF Power MOSFETs
IXFN25N80 HiPerFETTM Power MOSFETs
IXFN27N80 HiPerFETTM Power MOSFETs
IXFK25N80 CAP,Polypropylene,60uF,10-% Tol,10+% Tol
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFN230N10_08 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Power MOSFET Single Die MOSFET
IXFN230N20T 功能描述:MOSFET 230A 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN23N100 功能描述:MOSFET 23 Amps 1000V 0.43 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN240N15T2 功能描述:功率驅(qū)動器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IXFN24N100 功能描述:MOSFET 1KV 24A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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