參數(shù)資料
型號(hào)： IXFN106N20
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 106 A, 200 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, MINIBLOC-4
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 112K
代理商： IXFN106N20
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXFK100N20
IXFN90N20
IXFN106N20
Fig. 1 Output Characteristics
Fig. 2 Input Admittance
Fig. 5 Drain Current vs.
Case Temperature
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
Fig. 3 R
DS(on)
vs. Drain Current
Fig. 4 Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
B
G
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
0
20
40
60
80
100
120
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
R
D
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
I
D
= 53A
I
D
- Amperes
0
50
100
150
200
250
300
350
R
D
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
V
GS
- Volts
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
D
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
V
DS
- Volts
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
D
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
6V
5V
V
GS
= 15V
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V
BV
DSS
V
GS(th)
9V
8V
7V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
106N20
90N20
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFN100N10 HIPERFET Power MOSFTETs
IXFK90N20 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓200V,導(dǎo)通電阻23mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFN100N25 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓250V,導(dǎo)通電阻27mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFN120N20 CAP 8200PF 50V 1% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
IXFN130N30 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓300V,導(dǎo)通電阻18mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
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參數(shù)描述
IXFN110N20 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 110A I(D)
IXFN110N60P3 功能描述:MOSFET 600V 90A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN120N20 功能描述:MOSFET 200V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN120N20 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B
IXFN120N25 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.02 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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