參數(shù)資料
型號： IXFN100N10
廠商： IXYS Corporation
英文描述： HIPERFET Power MOSFTETs
中文描述： HIPERFET電力MOSFTETs
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 112K
代理商： IXFN100N10
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Fig.10 Transient Thermal Impedance
T
J
= 25
°
C
V
SD
- Volts
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
D
0
20
40
60
80
100
Pulse Width - Seconds
0.001
0.01
0.1
1
T
0.01
0.1
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
C
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
C
rss
C
oss
C
iss
Gate Charge - nCoulombs
0
50
100 150 200 250 300 350 400
V
G
0
2
4
6
8
10
12
14
V
DS
= 100V
I
D
= 50A
I
G
= 10mA
f = 1MHz
V
DS
= 25V
T
J
= 125
°
C
0.5
Fig.7
Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Capacitance Curves
Fig.9
Source Current vs. Source
to Drain Voltage
IXFK100N20
IXFN90N20
IXFN106N20
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFK90N20 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓200V,導(dǎo)通電阻23mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFN100N25 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓250V,導(dǎo)通電阻27mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFN120N20 CAP 8200PF 50V 1% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
IXFN130N30 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓300V,導(dǎo)通電阻18mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFN150N15 HiPerFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFN100N10S1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:HiPerFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
IXFN100N10S2 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:HiPerFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
IXFN100N10S3 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:HiPerFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
IXFN100N20 功能描述:MOSFET 100 Amps 200V 0.023 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN100N25 功能描述:MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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