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參數(shù)資料
| 型號： | IXFM7N90 |
| 廠商： | IXYS Corporation |
| 英文描述： | HIPERFET Power MOSFTETs |
| 中文描述： | HIPERFET電力MOSFTETs |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 78K |
| 代理商： | IXFM7N90 |
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXFH 7N80
IXFM 7N80
Fig.7
Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
Fig.9
Capacitance Curves
Fig.10 Source Current vs. Source
to Drain Voltage
9
Fig.11 Transient Thermal Impedance
V
DS
- Volts
1
10
100
1000
I
D
0.1
1
10
Gate Charge - nCoulombs
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
G
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
- Volts
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
CE
- Volts
0
5
10
15
20
25
C
0
250
500
750
1000
1250
1500
1750
2000
2250
2500
2750
Time - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.001
0.01
0.1
1
D=0.2
D=0.01
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 500V
I
D
= 3.5A
I
G
= 10mA
Limited by R
DS(on)
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
f = 1MHz
V
DS
= 25V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
Single Pulse
D=0.5
D=0.02
D=0.05
D=0.1
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