| 型號(hào): | IXFM5N100 |
| 廠商: | IXYS Corporation |
| 英文描述: | HIPERFET Power MOSFTETs |
| 中文描述: | HIPERFET電力MOSFTETs |
| 文件頁數(shù): | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 295K |
| 代理商: | IXFM5N100 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFM9N100 | HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH42N20 | HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFM42N20 | HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFZ42N20 | HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFN35N50 | HIPERFET Power MOSFTETs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXFM67N10 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFM6N100 | 功能描述:MOSFET 6 Amps 1000V 2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFM6N90 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFM75N10 | 功能描述:MOSFET 100V 75A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFM7N80 | 功能描述:MOSFET 7 Amps 800V 1.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |