參數(shù)資料
型號： IXFM20N60
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 20 A, 600 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204
封裝： TO-204, 2 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 82K
代理商： IXFM20N60
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXFH 15N60
IXFM 15N60
IXFH 20N60
IXFM 20N60
Fig.7
Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
Fig.9
Capacitance Curves
Fig.10 Source Current vs. Source
to Drain Voltage
Fig.10 Transient Thermal Impedance
V
DS
- Volts
1
10
100
I
D
0.1
1
10
100
Gate Charge - nCoulombs
0
20
40
60
80
100
120
140
V
G
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
SD
- Volts
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
I
D
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
CE
- Volts
0
5
10
15
20
25
C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.001
0.01
0.1
1
600
D=0.5
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 300V
I
D
= 20A
I
G
= 10mA
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
Limited by R
DS(on)
Single Pulse
f = 1 MHz
V
DS
= 25V
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
D=0.2
D=0.01
D=0.02
D=0.05
D=0.1
相關PDF資料
PDF描述
IXFM15N65 HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH20N60 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓600V,導通電阻0.35Ω的N溝道增強型 HiPerFET功率MOSFET)
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IXFM7N90 HIPERFET Power MOSFTETs
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參數(shù)描述
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