參數(shù)資料
型號： IXFM11N100
廠商： IXYS Corporation
英文描述： HIPERFET Power MOSFTETs
中文描述： HIPERFET電力MOSFTETs
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 95K
代理商： IXFM11N100
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Fig.7
Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
Fig.9
Capacitance Curves
Fig.10 Source Current vs. Source
to Drain Voltage
Fig.11 Transient Thermal Impedance
V
DS
- Volts
1
10
100
1000
I
D
0.1
1
10
V
SD
- Volts
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
V
CE
- Volts
0
5
10
15
20
25
C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.001
0.01
0.1
1
D=0.5
C
rss
C
oss
100ms
10ms
1ms
100μs
10μs
Limited by R
DS(on)
C
iss
Single Pulse
Gate Charge - nCoulombs
0
25
50
75
100
125
150
V
G
0
2
4
6
8
10
V
DS
= 400V
I
D
= 13A
I
G
= 10mA
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
D=0.2
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
f = 1 MHz
V
DS
= 25V
IXFH 11N80
IXFM 11N80
IXFH 13N80
IXFM 13N80
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IXFM12N100 功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFM12N50 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
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