參數(shù)資料
型號(hào)： IXFK80N20
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： RESN_0603LF-10M, 5%, 0603LF
中文描述： 80 A, 200 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大小： 100K
代理商： IXFK80N20
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
V
SD
- Volts
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
I
D
0
40
80
120
160
200
V
DS
- Volts
1
10
100
I
D
1
10
100
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
100
1000
10000
Gate Charge - nC
0
50
100
150
200
250
300
350
V
G
0
2
4
6
8
10
12
Crss
Coss
Ciss
V
DS
= 100 V
I
D
= 40 A
I
G
= 1 mA
f = 1MHz
300
T
C
= 25
O
C
10 ms
1 ms
100 ms
200
T
J
= 125
O
C
T
J
= 25
O
C
DC
Pulse Width - Seconds
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
R
J
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
IXFK72N20
IXFK80N20
Figure 8. Capacitance Curves
Figure 7. Gate Charge
Figure 9. Source Current vs. Source
to Drain Voltage
Figure10. Forward Bias Safe Operating Area
Figure 11. Transient Thermal Resistance
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IXFK80N20S 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-264SMD
IXFK80N50P 功能描述:MOSFET 500V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK80N50Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK80N60P3 功能描述:MOSFET 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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