參數(shù)資料
型號: IXFK72N20
廠商: IXYS CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓200V,導(dǎo)通電阻35mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
中文描述: 72 A, 200 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝: PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù): 4/4頁
文件大?。?/td> 100K
代理商: IXFK72N20
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
V
SD
- Volts
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
I
D
0
40
80
120
160
200
V
DS
- Volts
1
10
100
I
D
1
10
100
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
100
1000
10000
Gate Charge - nC
0
50
100
150
200
250
300
350
V
G
0
2
4
6
8
10
12
Crss
Coss
Ciss
V
DS
= 100 V
I
D
= 40 A
I
G
= 1 mA
f = 1MHz
300
T
C
= 25
O
C
10 ms
1 ms
100 ms
200
T
J
= 125
O
C
T
J
= 25
O
C
DC
Pulse Width - Seconds
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
R
J
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
IXFK72N20
IXFK80N20
Figure 8. Capacitance Curves
Figure 7. Gate Charge
Figure 9. Source Current vs. Source
to Drain Voltage
Figure10. Forward Bias Safe Operating Area
Figure 11. Transient Thermal Resistance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFK80N20 RESN_0603LF-10M, 5%, 0603LF
IXFK73N30Q HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
IXFX73N30Q HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
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參數(shù)描述
IXFK72N20S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 72A I(D) | TO-264SMD
IXFK73N30 功能描述:MOSFET 300V 73A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK73N30 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-264
IXFK73N30Q 功能描述:MOSFET 73 Amps 300V 0.042 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK74N50P2 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube