| 型號(hào): | IXFK21N100Q |
| 英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-264AA |
| 中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 1KV交五(巴西)直| 21A條(?。﹟對(duì)264AA |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 98K |
| 代理商: | IXFK21N100Q |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK25N90 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-264AA |
| IXFK26N90 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-264AA |
| IXFX21N100Q | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-247VAR |
| IXFX25N90 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-247VAR |
| IXFX26N90 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-247VAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXFK220N15P | 功能描述:MOSFET 220Amps 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFK220N17T2 | 功能描述:MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFK230N20T | 功能描述:MOSFET 230A 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFK240N15T2 | 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類(lèi)型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| IXFK24N100 | 功能描述:MOSFET 1KV 24A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |