參數(shù)資料
型號： IXFK180N10
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓100V,導(dǎo)通電阻8mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
中文描述： 180 A, 100 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝： PLASTIC, TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 109K
代理商： IXFK180N10
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Pulse Width - Seconds
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
R
J
0.02
0.04
0.06
0.08
0.20
0.40
0.01
0.10
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
1000
10000
V
SD
- Volts
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
D
0
25
50
75
100
125
150
175
200
Gate Charge - nC
0
50
100 150 200 250 300 350 400
V
G
0
3
6
9
12
15
Crss
Coss
Ciss
T
J
=25
O
C
V
DS
=50V
I
D
=90A
I
G
=10mA
F = 100kHz
V
DS
- Volts
1
10
100
I
D
1
10
100
T
C
= 25
O
C
10 ms
1 ms
DC
200
V
GS
= 0V
T
J
=125
O
C
Figure 7. Gate Charge
Figure 8. Capacitance Curves
Figure 9. Forward Voltage Drop of the Intrinsic Diode
Figure 10. Forward Bias Safe Operating Area
Figure 11. Transient Thermal Resistance
R
i
:
0.02
0.046
0.154
0.007
0.01
0.25
R(th)
JC
= R
i
{1-exp(-t/
i=1
i
)}
3
IXFK 180N10
IXFX 180N10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFK21N100F HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching
IXFX21N100F HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching
IXFK21N100Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻0.50Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFK24N100 HiPerRF Power MOSFETs
IXFK24N100F HiPerRF Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFK180N10_09 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiperFET Power MOSFETs
IXFK180N15P 功能描述:MOSFET 180 Amps 150V 0.011 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK180N25T 功能描述:MOSFET 180A 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK185N10 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 185A I(D) | TO-264AA
IXFK200N10P 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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