參數(shù)資料
型號： IXFH66N20Q
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
中文描述： 66 A, 200 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 157K
代理商： IXFH66N20Q
2003 IXYS All rights reserved
IXFH
IXFT
66N20Q
66N20Q
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
0
30
60
90
120
150
180
0
3
6
9
12
15
V
D S
- Volts
I
D
V
G S
= 10V
8V
5V
6V
7V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
0
10
20
30
40
50
60
70
0
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
- Volts
I
D
V
G S
= 10V
7V
5V
6V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
0
10
20
30
40
50
60
70
0
0.5
1
15
2
2.5
3
3.5
V
DS
- Volts
I
D
V
G S
= 10V
7V
5V
6V
Fig. 4. R
Normalized to I
D25
Value vs.
Junction Temperature
2.8
0.4
0.7
1
13
16
19
2.2
2.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- Degrees Centigrade
R
D
I
D
= 66A
I
D
= 33A
V
G S
= 10V
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
0
10
20
30
40
50
60
70
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- Degrees Centigrade
I
D
Fig. 5. R
DS(on)
Normalized to I
D25
Value vs. I
D
0.5
1
15
2
2.5
3
3.5
0
33
66
99
132
165
I
D
- Amperes
R
D
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
V
G S
= 10V
相關PDF資料
PDF描述
IXFT66N20Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFH67N10 HiPerFET Power MOSFETs
IXFH75N10 HiPerFET Power MOSFETs
IXFM67N10 HiPerFET Power MOSFETs
IXFM75N10 HiPerFET Power MOSFETs
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IXFH68N20 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET POWER MOSFETs
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IXFH6N100 功能描述:MOSFET 1KV 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH6N100 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247
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