參數(shù)資料
型號： IXFH48N50
廠商： IXYS Corporation
英文描述： CAP 56PF 100V CERAMIC MONO 5%
中文描述： HiPerFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 108K
代理商： IXFH48N50
C1 - 186
2000 IXYS All rights reserved
IXFN / IXFK 44N50
IXFN / IXFK 48N50
Fig. 1 Output Characteristics
Fig. 2 Input Admittance
Fig. 5 Drain Current vs.
Case Temperature
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
Fig. 3 R
DS(on)
vs. Drain Current
Fig. 4 Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
B
G
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
BV
DSS
V
GS(th)
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
0
10
20
30
40
50
60
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
R
D
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
I
D
- Amperes
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
R
D
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
V
GS
- Volts
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
D
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
I
D
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
5V
6V
7V
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V
V
GS
= 15V
I
D
= 24A
44N50
48N50
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
相關PDF資料
PDF描述
IXFN48N50 560PF 100V 5% MONOLITH CERM CAP
IXFK48N55 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓550V,導通電阻110mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFK55N50 HiPerFET Power MOSFET
IXFN50N50 HiPerFET Power MOSFET
IXFN55N50 HiPerFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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