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參數(shù)資料
| 型號： | IXFH450 |
| 廠商： | IXYS Corporation |
| 英文描述： | HIPERFET Power MOSFTETs |
| 中文描述： | HIPERFET電力MOSFTETs |
| 文件頁數(shù)： | 8/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 295K |
| 代理商： | IXFH450 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH9N65 | HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH9N80 | HiPerFET Power MOSFETs - N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family |
| IXFLxxxx | HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH24N50Q | HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFH26N50Q | HiPerFET Power MOSFETs |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXFH48N50 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFH4N100 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
| IXFH4N100Q | 功能描述:MOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFH50N20 | 功能描述:MOSFET DIODE Id50 BVdass200 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFH50N20 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
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