| 型號(hào): | IXFH25N20 | 
| 廠商: | IXYS Corporation | 
| 英文描述: | HIPERFET Power MOSFTETs | 
| 中文描述: | HIPERFET電力MOSFTETs | 
| 文件頁數(shù): | 1/8頁 | 
| 文件大?。?/td> | 295K | 
| 代理商: | IXFH25N20 | 

相關(guān)PDF資料  | 
PDF描述  | 
|---|---|
| IXFH350 | HIPERFET Power MOSFTETs | 
| IXFH450 | HIPERFET Power MOSFTETs | 
| IXFH9N65 | HIPERFET Power MOSFTETs | 
| IXFH9N80 | HiPerFET Power MOSFETs - N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family | 
| IXFLxxxx | HIPERFET Power MOSFTETs | 
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)  | 
參數(shù)描述  | 
|---|---|
| IXFH26N50 | 功能描述:MOSFET DIODE Id26 BVdass500 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| IXFH26N50 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 | 
| IXFH26N50P | 功能描述:MOSFET HiPERFET Id26 BVdass500 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| IXFH26N50P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| IXFH26N50Q | 功能描述:MOSFET 500V 26A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |