參數(shù)資料
型號(hào)： IXFH15N80
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 15 A, 800 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
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代理商： IXFH15N80
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXFH 14N80
IXFH 15N80
V
DS
- Volts
10
100
1000
I
D
0.1
1
10
100
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
R
J
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
50
100
250
500
1000
2500
5000
V
SD
- Volts
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
0
10
20
30
40
50
Gate Charge - nC
0
50
100
150
200
250
V
G
0
2
4
6
8
10
12
Crss
Coss
Ciss
V
DS
= 400V
I
D
= 15A
I
G
= 1mA
f = 1MHz
T
C
= 25
O
C
10ms
100ms
1ms
DC
T
J
= 125
O
C
Single pulse
D = Duty Cycle
0.1ms
T
J
= 25
O
C
D=0.5
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
D=0.2
Figure 8. Capacitance Curves
Figure 7. Gate Charge
Figure 9. Source Current vs. Source to Drain Voltage
Figure 11. Transient Thermal Resistance
Figure10. Forward Bias Safe Operating Area
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFH15N60 HiPerFET Power MOSFETs
IXFH15N65 HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH16N90Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFK16N90Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFT16N90Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFH15N80Q 功能描述:MOSFET 800V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH1605 制造商:IXYS Corporation 功能描述:
IXFH1606 制造商:IXYS Corporation 功能描述:
IXFH160N15T 功能描述:MOSFET 160 Amps 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH160N15T2 功能描述:MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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