參數(shù)資料
型號(hào)： IXFH12N90
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓900V,導(dǎo)通電阻0.9Ω的N溝道增強(qiáng)型 HiPerFET功率MOSFET)
中文描述： 12 A, 900 V, 0.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 85K
代理商： IXFH12N90
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXFH 10N90 IXFH 12N90 IXFH 13N90
IXFM 10N90 IXFM 12N90
Fig. 1 Output Characteristics
Fig. 2 Input Admittance
Fig. 5 Drain Current vs.
Case Temperature
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
Fig. 3 R
DS(on)
vs. Drain Current
Fig. 4 Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
B
G
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
BV
DSS
V
GS(th)
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
10N90
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
R
D
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
I
D
- Amperes
0
5
10
15
20
25
R
D
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
V
GS
- Volts
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
6V
7V
V
GS
= 10V
12N90
I
D
= 6A
5V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 10V
V
GS
= 15V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFT13N90 HiPerFET Power MOSFETs
IXFH13N80Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓800V,導(dǎo)通電阻0.70Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
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IXFH14N100 HiPerFET Power MOSFETs
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參數(shù)描述
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IXFH13N65 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
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