參數(shù)資料
型號： IXFB80N50Q2
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
中文描述： 80 A, 500 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝： PLASTIC, PLUS264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 172K
代理商： IXFB80N50Q2
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
IXFB 80N50Q
2
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
Note 1
40
55
S
C
iss
C
oss
C
rss
11400
1620
320
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
29
25
60
11
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
(External)
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
290
60
120
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
thJC
R
thCK
0.14
K/W
K/W
0.13
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
80
A
I
SM
Repetitive;
pulse width limited by T
JM
320
A
V
SD
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V, Note 1
1.5
V
t
rr
250
ns
Q
RM
1.2
μ
C
I
RM
8
A
I
= 25A
-di/dt = 100 A/
μ
s
V
R
= 100 V
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain (Collector)
3 - Source (Emitter)
4 - Drain (Collector)
PLUS 264
TM
Outline
Note: 1. Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFH35N30 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(導(dǎo)通電阻100mΩ的N溝道增強型 HiPerFET功率MOSFET)
IXFH8N80 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓800V,導(dǎo)通電阻1.1Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFK32N50Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓500V,導(dǎo)通電阻0.15Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFK62N25 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IXFX62N25 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
IXFB80N50Q2_07 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs
IXFB82N60P 功能描述:MOSFET 82 Amps 600V 0.75 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFB82N60Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/82A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFC10N80P 功能描述:MOSFET 5 Amps 800V 1.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFC110N10P 功能描述:MOSFET 55 Amps 100V 0.015 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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