| 型號： |
IXFA4N100Q-TRL |
| 廠商： |
IXYS |
| 文件頁數(shù)： |
2/4頁 |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| 系列： |
HiPerFET™ |
| FET 型： |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
|
| FET 特點： |
標(biāo)準(zhǔn)
|
| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
1000V（1kV）
|
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
4A
|
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
3 歐姆 @ 2A，10V
|
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： |
4.5V @ 1.5mA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
39nC @ 10V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
1050pF @ 25V
|
| 功率 - 最大： |
150W
|
| 安裝類型： |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼： |
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
|
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
TO-263
|
| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： |
IXFA4N100Q-TRLDKR
|