| 型號(hào)： | IXFA4N100P |
| 廠商： | IXYS |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 50 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 4A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.3 歐姆 @ 2A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 1456pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | TO-263（D2Pak） |
| 包裝： | 管件 |