參數(shù)資料
型號(hào)： IXEH40N120
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： NPT3 IGBT
中文描述： 60 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 80K
代理商： IXEH40N120
2 - 4
2003 IXYS All rights reserved
3
IXEH 40N120
IXEH 40N120D1
Component
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
T
VJ
T
stg
-55...+150
-55...+150
°
C
°
C
M
d
mounting torque
0.8...1.2
Nm
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
R
thCH
with heatsink compound
0.25
K/W
Weight
6
g
Diode
[D1 version only
]
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
I
F25
I
F90
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
60
35
A
A
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
V
F
I
F
= 40 A; T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
2.6
2.0
3.0
V
V
I
RM
t
rr
E
rec(off)
51
180
1.8
A
ns
mJ
R
thJC
1.0 K/W
I
F
= 30 A; di
/dt = -500 A/μs; T
VJ
= 125°C
V
R
= 600 V; V
GE
= 0 V
Equivalent Circuits for Simulation
Conduction
IGBT (typ. at V
= 15 V; T
= 125°C)
V
0
= 0.95 V; R
0
= 45 m
Diode (typ. at T
= 125°C)
V
0
= 1.26V; R
0
= 15 m
Thermal Response
IGBT
C
th1
= 0.007 J/K; R
th1
= 0.215 K/W
C
th2
= 0.187 J/K; R
th2
= 0.205 K/W
Diode
C
th1
= 0.006 J/K; R
th1
= 0.649 K/W
C
th2
= 0.113 J/K; R
th2
= 0.351 K/W
TO-247 AD Outline
Dim.
Millimeter
Min.
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
Inches
Min.
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205 0.225
.780
Max.
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
Max.
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
.800
.177
.144
3.55
5.89
4.32
6.15 BSC
.140
0.232 0.252
.170
242 BSC
.216
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXEH40N120D1 NPT3 IGBT
IXFB80N50Q2 HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFH35N30 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(導(dǎo)通電阻100mΩ的N溝道增強(qiáng)型 HiPerFET功率MOSFET)
IXFH8N80 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓800V,導(dǎo)通電阻1.1Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFK32N50Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓500V,導(dǎo)通電阻0.15Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXEH40N120D1 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXEL40N400 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXEN4003A 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:BEZEL PACK FOR 4247929
IXEN60N120 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXEN60N120_07 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:NPT3 IGBT in miniBLOC package
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