參數(shù)資料
型號(hào)： IXDN75N120
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage IGBT
中文描述： 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MINIBLOC-4
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 73K
代理商： IXDN75N120
2000 IXYS All rights reserved
2 - 4
IXDN 75N120
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
C
ies
C
oes
C
res
5500
750
330
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
Q
g
I
C
= 75 A, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
360
nC
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
100
50
650
50
12.1
10.5
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
R
thJC
R
thCK
0.19 K/W
Package with heatsink compound
0.1
K/W
Inductive load, T
J
= 125°C
I
C
= 75 A, V
= ±15 V,
V
CE
= 600 V, R
G
= 15
M4 screws (4x) supplied
Dim.
Millimeter
Min.
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
37.80
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
3.30
0.780
Inches
Max.
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.20
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
4.57
0.830
Min.
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.489
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
0.130
19.81
Max.
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
0.180
21.08
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
miniBLOC, SOT-227 B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXDP610 Bus Compatible Digital PWM Controller, IXDP 610
IXDP630 Inverter Interface and Digital Deadtime Generator for 3-Phase PWM Controls
IXDP630PI Inverter Interface and Digital Deadtime Generator for 3-Phase PWM Controls
IXDP631 Inverter Interface and Digital Deadtime Generator for 3-Phase PWM Controls
IXDP631PI Inverter Interface and Digital Deadtime Generator for 3-Phase PWM Controls
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXDN75N120A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 120A I(C) | SOT-227B
IXDP20N60B 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXDP20N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXDP35N60B 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXDP610 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Bus Compatible Digital PWM Controller, IXDP 610
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