參數(shù)資料
型號： IXDH35N60B
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： IGBT with optional Diode
中文描述： 60 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 101K
代理商： IXDH35N60B
2000 IXYS All rights reserved
4 - 4
IXDP 35N60 B
IXDH 35N60 B
IXDH 35N60 BD1
Fig. 7
Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
Fig. 8
Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
Fig. 9
Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
Fig.10 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
Fig. 11 Reverse biased safe operating area
RBSOA
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
10
20
30
40
50
60
0
1
2
3
4
0
20
40
60
80
10
20
30
40
50
I
C
60
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
100
200
300
400
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.001
0.01
0.1
1
0
5
10
15
20
25
R
G
30
35
40
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
200
400
600
800
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
15
30
45
60
single pulse
V
CE
= 300V
V
GE
= ±15V
R
G
= 10
W
T
J
= 125
°
C
IXDH30N60B
V
CE
= 300V
V
GE
= ±15V
I
C
= 35A
T
J
= 125
°
C
0
100
200
300
400
500
600
V
CE
700
0
20
40
60
80
100
120
A
R
G
= 10
W
T
J
= 125
°
C
V
CE
= 300V
V
GE
= ±15V
R
G
= 10
W
T
J
= 125
°
C
E
on
V
CE
= 300V
V
GE
= ±15V
I
C
= 35A
T
J
= 125
°
C
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
E
on
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
I
C
A
A
E
off
E
on
t
t
R
G
W
W
t
s
mJ
E
on
mJ
E
off
ns
t
ns
t
I
CM
K/W
Z
thJC
IGBT
diode
V
mJ
ns
ns
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXDH35N60BD1 IGBT with optional Diode
IXDP35N60B IGBT with optional Diode
IXDI409YI 9 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET Driver
IXDN409CI 9 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET Driver
IXDN409PI 9 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET Driver
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IXDI402PI 功能描述:功率驅(qū)動器IC 2 Amps 40V 3 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IXDI402SI 功能描述:功率驅(qū)動器IC 40V 2A RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IXDI402SI-16 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:2 Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers
IXDI402SIA 功能描述:功率驅(qū)動器IC 2 Amps 40V 3 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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