Specifications ispLSI 5512VE 18 ispLSI 5512VE Timing Model tBLA t
參數(shù)資料
型號(hào): ISPLSI 5512VE-125LB272
廠商: Lattice Semiconductor Corporation
文件頁(yè)數(shù): 10/25頁(yè)
文件大小: 0K
描述: IC PLD ISP 256I/O 7.5NS 272BGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 40
系列: ispLSI® 5000VE
可編程類(lèi)型: 系統(tǒng)內(nèi)可編程
最大延遲時(shí)間 tpd(1): 7.5ns
電壓電源 - 內(nèi)部: 3 V ~ 3.6 V
邏輯元件/邏輯塊數(shù)目: 16
宏單元數(shù): 512
門(mén)數(shù): 24000
輸入/輸出數(shù): 192
工作溫度: 0°C ~ 70°C
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: 272-BBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 272-BGA(27x27)
包裝: 托盤(pán)
其它名稱(chēng): ISPLSI5512VE-125LB272
Specifications ispLSI 5512VE
18
ispLSI 5512VE Timing Model
tBLA
tLP
tIOI
tBSR
tPTSR
tGPTOE
tPTOE
tPDi
tGOE
tRST
tIN
tINREG
tROUTE
tPDb
tFBK
tBUF
tIOO
tEN
tDIS
tPTSA
tPTCLK
tBCLK
tGCLK_IN
IN
Q
OE
From Feedback
In/Out
Delays
In/Out
Delays
Routing/
GLB Delays
Register/
Latch Delays
Control
Delays
Feedback
OUT
DATA
MC Reg
CE
S/R
CLK
RST
Note: Italicized parameters are delay adders above and beyond default conditions (i.e. GRP load of one GLB, CLK0, high-speed AND Array
and VCC I/O option).
5000VE Timing Model
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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GEM06DRXN CONN EDGECARD 12POS DIP .156 SLD
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參數(shù)描述
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ISPLSI5512VE-125LB272I 功能描述:CPLD - 復(fù)雜可編程邏輯器件 RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲(chǔ)類(lèi)型:EEPROM 大電池?cái)?shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時(shí)間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100
ISPLSI5512VE-125LB388 功能描述:CPLD - 復(fù)雜可編程邏輯器件 RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲(chǔ)類(lèi)型:EEPROM 大電池?cái)?shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時(shí)間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100
ISPLSI5512VE-125LB388I 功能描述:CPLD - 復(fù)雜可編程邏輯器件 RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲(chǔ)類(lèi)型:EEPROM 大電池?cái)?shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時(shí)間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100
ISPLSI5512VE-125LF256 功能描述:CPLD - 復(fù)雜可編程邏輯器件 RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲(chǔ)類(lèi)型:EEPROM 大電池?cái)?shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時(shí)間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100