參數(shù)資料
型號(hào)： ISL9R860P2
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 8A, 600V Stealth Diode(8A，600V Stealth二極管)
中文描述： 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 59K
代理商： ISL9R860P2
2
Electrical Specifications
T
C
= 25
o
C, Unless Otherwise Specified
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN
TYP
MAX
UNITS
V
F
I
F
= 8A
I
F
= 8A, T
C
= 125
o
C
-
2.0
2.4
V
-
1.6
2.0
V
I
R
V
R
= 600V
V
R
= 600V, T
C
= 125
o
C
-
-
100
μ
A
-
-
1.0
mA
t
rr
I
F
= 1A, dI
F
/dt = 100A/
μ
s, V
R
= 30V
-
18
25
ns
I
F
= 8A, dI
F
/dt = 100A/
μ
s, V
R
= 30V
I
F
= 8A, dI
F
/dt = 200A/
μ
s, V
R
= 390V, T
C
= 25
o
C
-
21
30
ns
t
rr
-
28
-
ns
I
RRM
-
3.2
-
A
Q
RR
-
50
-
nC
t
rr
I
F
= 8A, dI
F
/dt = 200A/
μ
s, V
R
= 390V, T
C
= 125
o
C
-
77
-
ns
S
-
3.7
-
I
RRM
-
3.4
-
A
Q
RR
-
150
-
nC
t
rr
I
F
= 8A, dI
F
/dt = 600A/
μ
s, V
R
= 390V, T
C
= 125
o
C
-
53
-
ns
S
-
2.5
-
I
RRM
-
6.5
-
A
Q
RR
-
195
-
nC
dI
M
/dt
-
500
-
A/
μ
s
C
J
V
R
= 10V, I
F
= 0A
-
30
-
pF
R
θ
JC
-
-
1.75
o
C/W
DEFINITIONS
D = Duty cycle.
V
F
= Instantaneous forward voltage (pw = 300
μ
s, D = 2%).
I
R
= Instantaneous reverse current.
t
rr
= Reverse recovery time (t
a
+ t
b
).
S = Softness factor (t
b
/ t
a
).
I
RRM
= Maximum reverse recovery current.
Q
RR
= Reverse recovery charge.
dI
M
/dt = Maximum di/dt during t
b
.
C
J
= Junction Capacitance.
R
θ
JC
= Thermal resistance junction to case.
pw = pulse width.
Typical Performance Curves
FIGURE 1. FORWARD CURRENT vs FORWARD VOLTAGE
FIGURE 2. REVERSE CURRENT vs REVERSE VOLTAGE
V
F
, FORWARD VOLTAGE (V)
I
F
,
0
0.5 0.75
1
2.5
0.25
1.5
2
2.25
0
2
4
6
8
10
12
14
16
2.75
25
o
C
175
o
C
150
o
C
100
o
C
125
o
C
1.75
1.25
V
R
, REVERSE VOLTAGE (V)
R
,
μ
A
100
10
1
100
200
300
500
600
400
0.1
25
o
C
175
o
C
150
o
C
125
o
C
100
o
C
ISL9R860P2
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